Los nuevos Z-SSD de Samsung con memoria Z-NAND hacen su aparición física


Que la memoria NAND ha venido aquí para quedarse, y su penetración en el mercado aún tiene mucho margen de maniobra. Samsung, que no es el mayor y el mejor jugador en el campo NAND, si quye está en una posición privilegiada para desarrollar nuevas tecnologías y capitalizarlas.

 


Dentro de estas nuevas tecnologías es donde hace la aparición de la nueva memoria Z-NAND de Samsung, que no es otra que su respuesta tecnológica a soluciones NVMe o la misma 3D XPoint de Intel, de la cual os acabamos de anunciar su primer producto comercial. Al parecer la nueva Z-NAND pretende llenar el espacio entre la memoria NAND y la DRAM, aunque es más que una simple evolución de la memoria NAND por lo que le distancia hasta de la propia memoria de intel 3D XPoint.


Aun así no toda la salsa de esta nueva tecnología de Samsung se encuentra en el DIE de la memoria Z-NAND, pues también le acompaña una nueva controladora de la que todavía no hay especificaciones que al parecer permitiría disminuir drásticamente la latencia (sobretodo de lectura, se cree) que sería hasta un 70% menor que las actuales unidades NVMe.

Las fotografías que de momento hemos podido ver corresponden a un sample de 800GB de capacidad en la que la propia Samsung especifica una lectura y escritura secuencial de hasta 3200 Gbps mientras que la aleatoria ya sería más cotidiana con hasta 750K de lectura y 160K en escritura en IOPS. Aun así se esperan que aparezcan unidades de 1, 2 y 4TB.