Samsung comienza la producción en masa de memoria GDDR6

 

Samsung ha anunciado hoy que comienza la producción en masa de sus nuevas memorias GDDR6 destinados al mercado de GPU, hablando de nuevos chips de 16Gb de densidad capaces de lograr velocidades de hasta 18Gbps. La nueva memoria GDDR6 también se caracterizará por un consumo eléctrico más bajo.

De acuerdo a lo que cuenta Samsung en su anuncio oficial, con su nueva memoria GDDR6 podremos disfrutar de tarjetas gráficas de hasta 24GB con un ancho de banda de 864GB/s, datos que obviamente se comparan con las GPU NVIDIA Titan XP que equipan actualmente 12 GB de memoria GDDR5X con un ancho de banda de 550Gb/s gracias a los 11Gbps.

 

“A partir de esta producción inicial de la primera 16Gb GDDR6 de la industria, ofreceremos una gama completa de gráficos DRAM, con el más alto rendimiento y densidades, de una manera muy oportuna”, dijo Jinman Han, vicepresidente senior de planificación de productos de memoria. Ingeniería de aplicaciones en Samsung Electronics. “Al presentar los productos GDDR6 de próxima generación, fortaleceremos nuestra presencia en los mercados de tarjetas de videojuegos y gráficos y nos adaptaremos a la creciente necesidad de memoria gráfica avanzada en los sistemas automotrices y de redes.”

 

 

Obviamente el hecho de que los nuevos chips aumenten su capacidad hasta los 2GB provocará que el numero de chips necesarios físicamente en las tarjetas gráficas de nueva generación disminuya a la mitad, aliviando un mercado ahogado que pedía a gritos DRAM de mayor densidad mientras que la memoria HBM no acaba de asentarse.

 

“Basado en la avanzada tecnología de proceso clase 10 de 10 nanómetros (nm) de Samsung, la nueva memoria GDDR6 viene en una densidad de 16 Gb, que duplica la de la memoria GDDR5 de 20 nanómetros de 8 nanómetros de la compañía. La nueva solución funciona a una velocidad de pin de 18 gigabits por segundo (Gbps) con transferencias de datos de 72 gigabytes por segundo (GBps), lo que representa un aumento de más de dos veces sobre GDDR5 de 8 Gb con su velocidad de pin de 8 Gbps.

Utilizando un innovador diseño de circuito de baja potencia, el nuevo GDDR6 opera a 1,35 V para reducir el consumo de energía aproximadamente un 35 por ciento con respecto al ampliamente utilizado GDDR5 a 1.55V. La 10nm-clase 16Gb GDDR6 también produce una ganancia de productividad de fabricación del 30 por ciento en comparación con la GDDR5 de 20 nm de 8 Gb.”

 

SK Hynix y Micron ya se encuentran también preparando sus versiones GDDR6 para este mismo año, por lo que la competencia está servida entre los tres fabricantes. En cuanto a las expectativas de que podemos esperar en forma de producto este mismo año se rumorea que NVIDIA podría ofrecer GPU GDDR6 de gama media y alta con “Pascal Refresh”, mientras que AMD ofrecerá sustitutos de su serie 500 con este tipo de memoria, mientras que la gama alta se queda con memoria HBM2.