Samsung presenta Z-NAND, una alternativa a la NAND

 

Samsung ha presentado hoy su nueva alternativa a la NAND de la misma manera que Intel hizo lo propio con 3D XPoint (fabricado por Intel/Micron). Samsung ha optado por llamar a su alternativa Z-NAND y los números son impresionantes superando con bastante ventaja a los actuales dispositivos de Intel, Optane.

Como podéis ver en el resumen de más abajo, con las nuevas Z-NAND de Samsung se logran lecturas y escrituras secuenciales de hasta 3.2GB/s, cifras que superan a Intel en 800MB/s de lectura y en 1.2GB/s de escritura. La Z-NAND en cambio parece tener problemas con la escritora aleatoria, ya que a pesar de obtener mejores números en la lectura, los números de escritura quedan muy bajos en comparación con tan solo 170K de IOPS frente a los 500K de Intel.

Las latencias de la alternativa de Samsung también son ligeramente peores, pero Samsung en cambio comienza sus capacidades desde los 800GB.

Por ahora se desconocen dispositivos que vayan a usar este nuevo tipo de memoria, y tampoco se han revelado precios o disponibilidad de los mismos.

 

 

 

Samsung SZ985 Z-NAND SSD Intel Optane (3D XPoint)
Interface PCIe 3.0 x4 PCIe 3.0 x4
Media Z-NAND 3D XPoint
Sequential Read/Write (GB/s) 3.2 / 3.2 2.4 / 2
Random Read/Write IOPS 750K / 170K 550K / 500K
Random Read Latency 12 – 20µs 10µs
Random Write Latency (typ) 16µs 10µs
Drive Writes Per Day (DWPD) 30 30
Capacity 800 GB 350  / 750 GB